深圳安费诺

shentai发布

  C8系列无疑是瑞士微晶创新实力的杰出代表,它将高性能的CMOS RTC芯片与微型石英晶体精妙融合,并巧妙地封装于一个仅2.0 x 1.2毫米的8引脚陶瓷外壳内。这种集成实现了 0.7 毫米的扁平设计,进一步增强了该系列的紧凑性和重量(5.1 毫克)。
深圳安费诺  Nexperia推出了采用5 x 6和8 x 8mm封装LFPAK封装的80和100V MOSFET,Rds(on)范围为1.8至15mΩ,100V器件的Rds(on)范围为2.07mΩ以上。
  该公司表示:“许多MOSFET制造商在将其器件的开关性能与其他产品进行比较时,专注于通过低Qg(总)和低Qgd来实现高效率。然而,Nexperia认为Qrr同样重要,因为它会影响尖峰效应,进而影响器件切换过程中产生的电磁干扰(EMI)量。
仪表不仅支持传统的 10 MHz 参考频率,用户还可选择 1 MHz 至 100 MHz 以及 1 GHz 参考频率信号。可选的高输出功率选件在 20 GHz 时测量值为 25 dBm,在 40 GHz 时测量值为 19.5 dBm,选件可通过激活码激活,因此用户可随时安装。考虑到仪器新增覆盖微波频率范围,R&S SMB100B 微波信号发生器保持重量轻(10.7 千克),结构紧凑,在 19 英寸机架上高度仅占两个单元的优势。
深圳安费诺
  PGY-PCIeGen5-PA提供全套功能,包括2.5、5、8、16和32GT/s流量的同步协议分析,以及基于TS1、TS2、DLLP、TLP数据包内容和边带信号的if-then-else触发功能。 强大的软件可对PCIe和NVMe协议的捕获跟踪进行深入分析。 支持M.2、CEM、U.2、E1。借助S和SD Express插入器,分析仪可适应各种PCIe接口类型。
此次推出的思特威手机应用1600万像素图像传感器升级新品SC1620CS,基于先进的SmartClarity-3技术打造,搭载思特威独特的SFCPixel-SL等技术和工艺,集优异的高感度、高动态范围、低噪声等性能优势于一身,为智能手机提供真实、清晰的优质影像,满足日常光线场景和暗光场景下的手机影像拍摄需求。
没有其他供应商生产的蓝牙低功耗产品能像我们的即插即用模块一样简单易用,也无法为更先进的设计提供如此广泛的选项,所有选项都来自同一家供应商,从而不必以功能换取简单易用或以创新牺牲快速开发。
  CMS M系列的一个显著特点是其模块化设计,使其易于适应各种应用并易于维护。这些迷你真空发生器提供两种吸气容量选择(300 Nl/min和550 Nl/min),可选配真空和排气控制功能,还提供两种排气配置,以匹配各种特定需求。
  GM12071是一款CMOS、低压差(LDO)线性稳压器,采用 1.9V 至 20V 电源供电,输出电流为500 mA。这款高输入电压 LDO 适用于调节 1.2V至20V 供电的高性能模拟和混合信号电路。该稳压器采用先进的专有架构,在提供高电源抑制、低噪声特性的同时保持低静态电流,仅需一个 2.2μF 小型陶瓷输出电容,便可实现出色的线路与负载瞬态响应性能。GM12071稳压器输出噪声为 8.5μVRMS,与固定输出电压选项无关。
深圳安费诺
此外,可读性从0.05g到100g不等,并可在不同的表面处理和量程范围从1.5kg到300kg之间进行选择。坚固耐用的设计还可用于2/22潜在爆炸区,在不久的将来还可用于1/21区。
深圳安费诺TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC MOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求,而且即使面对严格的高电压和开关频率要求,也不会降低系统可靠性。CoolSiC MOSFET具有更高的直流母线电压,可在不增加电流的情况下提高功率。
  SC538HGS在近红外光下的感度提升,能够切实解决实际工业应用中光线条件复杂的关键痛点,为室内运动轨迹捕捉、新能源材料检测等高频工业机器视觉检测场景带来显著的成像质量提升,保障准确高效的检测效果。
  这款新推出的SiC肖特基二极管技术亮点在于其无反向恢复电流的特性,这意味着开关过程中的损耗极低。此外,该二极管在热管理方面的改进也令人瞩目,有助于降低系统冷却需求,使工程师能够设计出更高效、性能更优的电源系统。通过减少系统产生的热量,这些器件允许使用更小的散热器,从而节省了成本和空间。

分类: 申泰连接器