矢崎连接器

　　这两款产品的能耗很低，在eUSB收发模式下，功耗130mW；在UART、GPIO和I2C模式下，功耗仅为90mW；待机功耗为23W。两款芯片的传输速率达到480Mbit/s，符合USB 2.0高速规范要求，因此，无线连接可以达到线缆的传输速度和低延迟。
矢崎连接器　　通往定制高端 3.5 英寸系统的更快、更可持续的途径领先的嵌入式和边缘计算技术领先供应商德国康佳特，响应其近期推出的 aReady. 策略，推出首款板级产品。全新 3.5 英寸 conga-HPC/3.5-Mini 载板专为空间受限的强固型高性能安全工业物联网 (IIoT) 应用而设计，基于 COM-HPC Mini 模块，支持 -40℃ 到 +85℃扩展温度范围，可立即部署到工业应用中。
HL8545 需要外部接地二极管来防止电池反向电流从地流向电池，而 HL8545G 整合了防反二极管，不需要外部器件。

CoolSiC G2 MOSFET 650V和1200V在不影响质量和可靠性的前提下，将MOSFET的关键性能（例如存储能量和电荷）提高了20%，不仅提升了整体能效，还进一步推动了低碳化进程。
　　SC038HGS采用思特威自主创新的SmartGS-2 Plus技术，基于全局快门(GS)技术和背照式像素结构(BSI)设计，带来更佳的量子效率(QE)和更高的满阱电子(FWC)，且采用High Density MIM(HD MIM)工艺，大幅降低了随机噪声，改善图像质量。
　　OCP9225AH还具有一个默认版本，将R1空贴，R2改为0欧姆，即可使用默认OVP功能。OCP9225AH默认OVP为6.8V，使用默认OVP，可减少外围器件，达到减小成本的目的。
　　基于 TEGRION硬件，OPTIGA Authenticate NBT支持非接场景下848 Kbit/s的传输速率，其I2C接口则可以支持1 Mbits/s的传输速率，为需求高性能数据传输的应用提供重要的助力支持。这款NFC I2C桥接标签提供 8 KB 的大容量内存，可有效满足客户和特定应用的多配置信息的储存。
推出新型80 V对称双通道n沟道功率MOSFET—SiZF4800LDT，将高边和低边TrenchFET Gen IV MOSFET组合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR 3x3FS单体封装中。Vishay Siliconix SiZF4800LDT适用于工业和通信应用功率转换，在提高功率密度和能效的同时，增强热性能，减少元器件数量并简化设计。

　　“沟槽辅助平面栅”技术能使碳化硅MOSFETs的RDS(ON)受温度影响小，在整个运行范围内的功率损失降到。在高温的运行环境下中，搭载这一技术的碳化硅MOSFETs，与竞争对手相比，RDS(ON)降低高达20%。
矢崎连接器　　新系列的旗舰产品STM32WBA55微控制器可以同时运行多种无线技术标准，包括低功耗蓝牙Bluetooth LE 5.4、Zigbee、Thread和Matter(Thread RCP)。Matter边界路由器和STM32WBA5是实现这种智能家居和物联网设备开源连接新标准的完美组合。因此，STM32WBA55支持更好的用户体验，同时能够简化软硬件工程师的开发过程，降低新产品的成本，加快上市时间。
　　Vishay Semiconductors TFBS4xxx和TFDU4xxx系列器件在单体封装中包括PIN光电二极管、红外发射器（IRED）和低功率控制IC。升级版红外收发器采用Vishay内部开发的新型IC和表面发射器芯片技术，旨在确保IRDC产品向客户长期供货。
　　GOODiX汇顶GH3026多通道 PPG 的健康监测芯片的典型功耗40?A，精度可以做到24bit，PPG动态范围高达110dB，可配置256?A环境光消除，还可配置256A直流偏移消除。同时支持8个LED用于血氧饱和度或多波长/多位置心率监测。此外GH3026支持12MHz SPI的通信接口，工作温度在-30~85℃，采用了WLCSP封装。