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　　HL8518芯片内部集成了功率FET，可以控制并限制流经其内部功率管的电流，电流限制阈值可以采用一个从ILIM引脚到地的外部电阻器来设置。内部电荷泵有助于实现高效的栅极控制，该芯片典型Rds(on)值为80mΩ。
菲尼克斯端子官网　　纳微发布的4.5kW高功率密度AI服务器电源参考设计，其采用了型号为G3F45MT60L（额定电压为650V、40mΩ，TOLL封装）的GeneSiC G3F FETs，用于交错CCM TP PFC拓扑上。与LLC上使用型号为NV6515（额定电压650V，35mΩ，TOLL封装）的GaNSafe?
　　三星Galaxy Ring作为今年全新推出且备受瞩目的健康向穿戴设备，采用了环形曲线设计的钛金属边框，具备超轻量化机身、10ATM防水等级以及可达7天的持久续航能力。基于三星多年来在智能穿戴领域的积极探索，三星Galaxy Ring能以超乎想象的小巧形态，为用户带来从心率警示、睡眠追踪到日常活动在内的全天候多元健康体验。

　　TSB952的工作温度范围是 -40°C 至 125°C，可用于工业和汽车环境。意法半导体将于 2024年下半年推出符合 AEC-Q101 标准的车规型号。全系产品均能耐受4kV ESD静电放电 (人体模型)，并加强了 EMI抗电磁干扰能力。
nRF7002 Wi-Fi 6 协同 IC 可与 Nordic 屡获殊荣的 nRF91 系列封装系统 (SiP)、nRF52 和 nRF53 系列多协议片上系统 (SoC) 以及即将推出的 nRF54L 和 nRF54H 系列 SoC 无缝集成。
　　GD32E235系列MCU采用Arm Cortex-M23内核，主频达到72MHz，配备了16KB到128KB的嵌入式闪存及4KB到16KB的SRAM，存储容量基于GD32E230系列扩充，能够满足如通讯模块、图形显示、无线探测器等应用场景对于存储空间的扩展需求。该系列产品集成了多个通用接口，包括2个USART、2个SPI、2个I2C、1个I2S。还提供了1个12位ADC、1个比较器等模拟外设，其中ADC性能相较GD32E230优化提升，增强了稳定性及一致性，适用于混合信号处理和电机控制等工业应用需求。并配备了5个16位通用定时器、1个16位定时器和1个16位基本定时器。GD32E235系列MCU凭借出色的静电防护和抗干扰能力，能够满足极端环境或严苛条件下对于产品高可靠性的要求。
　　VNF9Q20F 用作智能断路器，增强电路板上的电压稳定性，防止 PCB 电路板走线、连接器和线束过热。在防止破坏性过载中，意法半导体新的车规功率开关还支持电容充电模式，允许无危害性的冲击电流存在，因此，能够在大电容负载条件下正常运行。
　　GD32F5系列高性能MCU采用Arm Cortex-M33内核，支持200MHz的运行主频，工作性能可达3.31 CoreMark/MHz。内置DSP硬件加速器和双精度浮点单元(FPU)，大幅减轻了内核的负担并有助于提升处理效率。

　　英飞凌表示，这种功率和性能的组合可节省系统物料清单 (BOM)，而 <10 ?A 深度睡眠和 <1 ?A 休眠模式可为低功耗和电池驱动应用节省能源。 菲尼克斯端子官网推挽变压器驱动NSIP605x系列。该系列包括输出功率为1W的NSIP6051和输出功率为5W的NSIP6055。其中，NSIP6055提供两个版本：开关频率为160kHz的NSIP6055A，可用于对EMI要求更严格的系统应用；以及开关频率为420kHz的NSIP6055B，可用于对提高转换效率和缩小变压器尺寸有需求的系统应用。 　　这款测试芯片是业界首款采用12纳米FinFet（FF）技术为音频IP提供完整解决方案的产品。该芯片完美结合了高性能、低功耗和优化的占板面积，为电池供电应用提供卓越的音质与功能。这款专用测试芯片通过加快产品上市进程、提供同类性能、及确保稳健的产品设计，坚定客户对Dolphin Design产品的信心，再度证实了Dolphin Design在混合信号IP领域的行业领先地位。 　　驾驶辅助系统（ADAS）和自动驾驶（AD）的日益普及，对LFM、HDR和高分辨率图像传感器提出了更高的要求。例如，LED交通灯的脉冲照明为许多成像解决方案带来了严峻的挑战，使ADAS和AD系统无法正确检测发光的交通标志。豪威集团利用其2.1微米单像素TheiaCel?技术解决了这一问题。