魏德米勒端子

　　在与英飞凌的CoolMOS S7开关配合使用时，这些隔离式驱动器实现的开关设计，其电阻远低于光驱动固态解决方案。这能够延长系统设计的寿命并降低成本。与所有固态隔离器一样，这些半导体器件的性能同样优于电磁继电器，例如降低40%的功耗、以及摒除机械组件以实现更高的可靠性等。
魏德米勒端子　　OPJ301x系列的推出，进一步丰富了类比半导体在高性能通用运算放大器领域的解决方案，满足了市场对超低偏置电流和高精度信号处理日益增长的需求。无论是医疗设备中的精密信号检测，还是工业自动化测试设备的信号放大，OPJ301x都能提供卓越的性能表现，助力设计工程师实现更高水平的信号处理精度和可靠性。
7 GDDR7 的推出，进一步完善了美光业界领先产品组合，为 CPU、NPU 和 GPU 组件的边缘 AI 推理应用提供了 DDR、LPDDR 和 GDDR 内存的选项。针对游戏应用，美光 GDDR7 凭借卓越的性能和帧缓冲缩放技术，为玩家带来 AI 增强的游戏体验，包括灵活多变的地形、玩家角色和故事情节。

这系列单片机具备丰富的周边资源，包括CAN、EBI、DIV、SPI、UART、USART、I?C、MCTM、GPTM、PWM、BFTM、RTC、CRC、CMP、内建具自动扫描功能的LED Controller、12-bit SAR ADC转换速度提升至2Msps并带有可配置电压VREF可作为内部参考电压源。封装提供32/46 QFN及48/64 LQFP，GPIO脚位达54。
　　此外，RG255C-GL采用紧凑的LGA封装设计，尺寸小巧，仅为32.0 mm × 29.0 mm × 2.4 mm，与移远通信相同尺寸的LTE Cat 4模组EG2x系列兼容，能够满足终端设备对中速率、大容量、低延迟、高可靠性等需求，为客户在现有4G设备中集成该模组提供了便利，极大简化了设备的升级流程。
M31 MIPI C/D-PHY Combo IP已在先进的台积电5纳米工艺上获得硅验证，并已开始3纳米生产知识产权开发。这些经过验证的 C-PHY 和 D-PHY IP 能够支持每通道高达 6.5G 的高速传输模式和极低功耗操作，使这些 IP 适合各种应用场景，例如高分辨率成像、显示 SoC、驾驶员辅助系统 (ADAS) 和车载信息娱乐系统。该IP设计允许用户根据自己的需要将其配置为D-PHY或C-PHY模式，通过共享部分电路设计进一步减少对芯片面积的需求和对I/O引脚的需求。
　　SiHR080N60E采用小型PowerPAK 8 x 8LR封装，外形尺寸为10.42 mm x 8 mm x 1.65 mm，占位面积比D2PAK封装减小50.8 %，高度降低66 %。由于封装采用顶侧冷却，因此具有出色的热性能，结壳（漏极）热阻仅为0.25 C/W。相同导通电阻下，额定电流比D2PAK封装高46 %，从而显著提高功率密度。此外，封装的鸥翼引线结构具有优异的温度循环性能。
美光凭借 HBM3E 这一里程碑式产品取得了三大成就：领先业界的上市时间、引领行业的性能和出众的能效表现。人工智能工作负载在很大程度上依赖于内存带宽和容量。美光拥有业界领先的 HBM3E 和 HBM4 产品路线图，以及为 AI 应用打造的 DRAM 和 NAND 全套解决方案，为助力人工智能未来的大幅增长做足了准备。

TE Connectivity HDC浮动式充电连接器，并提供多种选项，包括公母插入件、公母电源触点以及公母信号触点。这些重载连接器符合RoHS指令，非常适合仓库自动化应用以及AGV和AMR应用对机械化自供电货物运输的需求。
魏德米勒端子新型汽车级IHDF边绕通孔电感器—IHDF-1300AE-1A，额定电流 72A，饱和电流高达 230A。Vishay Custom Magnetics IHDF-1300AE-1A采用铁氧体磁芯技术，厚度仅为15.4 mm，可在-55 °C至+155 °C恶劣温度条件下工作，交流和直流功耗低，具有优异的散热性能。
　　当企业面临数据中心资源紧张、工作负载过大等挑战时，IBM FlashSystem 5300可为其提供具有超高性能和可扩展性的全闪存主存储平台，能够帮助各种规模的客户为其对延迟非常敏感的工作负载和高度波动的数据集灵活地选择合适的性能和容量特征。现在，客户还可以通过全新的 IBM Storage Assurance 许可模式，充分利用IBM FlashSystem 5300的优势打造面向未来的存储架构，发挥数据中心投资的价值。
板载功能包括实时时钟和安全 TPM 2.0。
　　Aaeon UP-Squared-7100 散热器视图操作温度为 0 – 60°C，附带的散热器有足够的空气流通，电源为 12V（15 – 37W），采用 ATX（默认）或 AT 电源。