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1200 V碳化硅(SiC) MOSFET，采用D2PAK-7表面贴装器件(SMD)封装，有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供选择。这是继Nexperia于2023年底发布两款采用3引脚和4引脚TO-247封装的SiC MOSFET分立器件之后的又一新产品，它将使其SiC MOSFET产品组合迅速扩展到包括RDSon值为17、30、40、60和80 mΩ 且封装灵活的器件。
jst接口　　G3F GeneSiC MOSFETs 基于纳微专有的“沟槽辅助平面栅”技术研发，既拥有优于沟槽栅MOSFET的性能，还具备比竞争对手更强的鲁棒性、可制造性和成本效益。G3F MOSFETs 同时具备高效和高速的性能，可使器件的外壳温度降低高达25°C，比市场上其他厂商的碳化硅产品的寿命长3倍。
此前，三星 MX 部门主要在其高端平板电脑中使用高通的“骁龙”AP。例如，2022 年发布的 Galaxy Tab S8 搭载了骁龙 8 Gen 1，去年推出的 Galaxy Tab S9 搭载了骁龙 8 Gen 2。然而，联发科的重大技术进步促使其决定在 Tab S10 中使用 Dimensity 9300+ 代替骁龙 AP。

　　针对这一亟待解决的问题，芯擎科技推出工业级 “龍鹰一号” 7nm AIoT应用处理器SE1000-I，瞄准国产高端工业边缘计算和机器人应用，为市场提供了更高性能、更安全、高速接口更丰富的高端应用处理器，既满足了工业环境苛刻的运行条件，也符合新兴市场对工业级高性能计算的需求.
　　“沉浸式显示娱乐现在受到日常消费者的追捧，而不仅仅是电影爱好者和游戏玩家，”TI 数字光投影机总经理 Jeff Marsh 说。“消费者曾经需要一台大电视或显示器来获得清晰明了的显示效果，而现在他们可以使用生活方式或游戏投影仪，并将墙壁变成他们选择的屏幕尺寸。”
　　这些汽车器件符合 AEC-Q100 汽车行业标准，采用 2mm x 2mm DFN6L 侧翼可润湿封装，可简化 PCB 设计，方便自动化光学检查。宽压输入允许把稳压器连接到瞬态电压高达 40V 的汽车的12V电源总线，为息娱乐系统、仪表板和驾驶员辅助系统 (ADAS) 供电。由于其低静态电流和低待机电流，因此特别适用于电动汽车。
　　这两款模块还能显著降低功耗。相比前几代蓝牙LE模块，NORA-B2的功耗降低多达50%。在终端产品中，这有助于减小电池尺寸或延长电池续航时间。
　　多光旗舰负载禅思 H30 系列采用一体化设计，在上一代负载 H20 系列及 H20N 的基础上进行了全面升级，高度集成五大功能模组，在各类复杂作业环境中，无论白天黑夜都能看得远、看得清、看得见。

　　器件采用版图对称布局、敏感线网衬底隔离、数模磁版图隔离环等技术，实现版图匹配的面积节约化。器件工作电压范围为1.7V至3.6V，待机功耗仅8uA，响应频率达200Hz。与国外3D霍尔效应位置传感器相比，在保持系统性能的同时，功耗降低，应用可配置模式，为电池供电或关注系统效率的轻负载模式中降低功耗。
jst接口该系列经过严格测试，成为光伏装置、电源、低至中等风险的医疗设备**、暖通空调、照明以及符合 IEC 62368-1 标准的设备等应用的理想选择。
　　DIA89360是国内首款具有完整诊断功能的车规级四开关同步升降压LED控制器，该架构能以的系统效率和少的外部组件数量驱动大功率LED，特别适用于需要高效率且电路板空间有限的高电流近光灯，远光灯或组合远近光灯应用。
　　器件可编程中断功能便于设计人员设定中断阈值上下限，从而减少与微控制器连续通信。VCNL36828P使用智能抵消技术消除串扰，智能持续性设计确保准确探测并加快响应速度。VCSEL波长峰值为940 nm，无可见“红尾”。