万可连接器

与现有的650 V SiC和Si MOSFET相比，新系列具有超低的传导和开关损耗。这款AI服务器电源装置的AC/DC级采用多级PFC，功率密度达到100 W/in以上，并且效率达到99.5%，较使用650 V SiC MOSFET的解决方案提高了0.3个百分点。此外，由于在DC/DC级采用了CoolGaN?晶体管，其系统解决方案得以完善。通过这一高性能MOSFET与晶体管组合，该电源可提供8千瓦以上的功率，功率密度较现有解决方案提高了3倍以上。
万可连接器　大视野智能外屏是三星Galaxy Z Flip6个性化和高效交互体验升级的核心。用户现在可以利用新增的互动壁纸、文生图壁纸，将自己的专属风格延伸到外屏中。同时Galaxy AI还能分析用户的壁纸并给出合理的布局建议，为手机的整体美观度增色。不仅如此，建议回复功能和更丰富的小组件的加入，让用户可以在忙碌的情况下，无需展开手机与复杂的操作，即可通过外屏快速回复信息或是查看相关内容，给日常生活带来更多便利。
高压选择性负载线缆压接连接器平台是各类设计紧凑型、坚固耐用型和通用应用的理想解决方案。该连接器系统设计独特，符合LV214 Severity-2标准，具有端子锁止片（TPA）和连接器二次锁止（CPA）机构，是一款安全可靠且行之有效，能够很好规避错配风险的解决方案。

推出16款新型第三代1200 V碳化硅（SiC）肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN 肖特基（MPS）结构设计，具有高浪涌电流保护能力，低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低，有助于提升开关电源设计能效和可靠性。
　　该磁性封装技术采用一种以专有新型设计材料制成的集成功率电感器。通过采用该类电源模块，工程师可以更容易地获得高功率密度、低温、低EMI辐射、高转换效率的电源系统设计。一些分析师预测，截至 2030 年，数据中心的电力需求将增长 100%。电源模块所带来的上述性能优势在数据中心等应用中可以发挥重要的作用，提高电力使用效率。
采用 Intel Xeon 6 处理器（配备 P-cores）的系统将把人工智能工作负载的性能提高 2-3 倍*，内存带宽提高 2.8 倍*。未来使用 Intel Xeon 6 处理器（配备 E-cores）的系统预计将提供比前几代产品高 2.5 倍*的机架密度，每瓦特性能提高 2.4 倍*，从而将数据中心的 PUE 降低至低至 1.05。
　　Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，纳斯达克股票代码：MU）近日宣布在业界率先验证并出货基于大容量 32Gb 单块 DRAM 芯片的128GB DDR5 RDIMM 内存，其速率在所有主流服务器平台上均高达 5,600 MT/s。
NX27V与AX45MP集群相互合作，将QiLai打造为异质软件开发平台，使对称式多核心Linux操作系统 (SMP)，实时操作系统 (RTOS )或裸机 (bare metal)系统能够在此平台上同时运行。AX45MP和NX27V的运行频率分别为2.2 GHz和1.5 GHz，而QiLai在全速运行时的总功耗约为5瓦。

　　通过整体的合理化和实际的组件组合，从开发的初期阶段到详细评估，在电动车的所有开发阶段都可使用本工具，可以大幅缩短开发周期，压缩试制成本。
万可连接器全新的OX05D10是我们采用TheiaCel?技术的汽车传感器系列的产品，与我们去年9月在布鲁塞尔AutoSens展会上发布的800万像素传感器OX08D10属于同一系列。得益于TheiaCel?技术，OX05D10能够在不牺牲图像质量的前提下实现优异的LFM功能，而且OX05D10还保留了汽车厂商要求的重要功能，包括低光性能、小尺寸和低功耗。我们扩大了产品线，方便客户根据自身需求，在800万像素和500万像素两款产品之间进行选择。
　　高效、快速地管理高开关频率以及高电压和高电流的热条件：提供快速响应时间，通过减少能量损失和耗来提供关键保护并提高效率。
　　对于那些只需要高速网络连接的用户，HatNET则是一个理想的选择。它放弃了对NVMe存储的支持，专注于利用单个2.5 Gb以太网端口提供高速连接。与HatDrive NET 1G一样，HatNET的端口可以补充树莓派 5内置的千兆位以太网端口，从而允许设备同时连接到两个网络。