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新型6.5W硅射频（RF）高功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）样品，用于商用手持式双向无线电（对讲机）的射频高功率放大器。该型号采用3.6V单节锂离子电池，可实现业界先端的6.5W输出功率，有望扩大商用无线电设备的通信范围并降低功耗。
hrs广濑连接器艾迈斯欧司朗推出这款侧发光创新产品，为汽车后照灯制造商带来了新的价值，即在降低成本的情况下实现卓越的光学性能。艾迈斯欧司朗的模拟显示，相比于等效顶发光设计，基于SYNIOSP1515的设计可以减少高达66％的LED单位数量和驱动器数量，同时保持超高水平的均匀光效。
　　Bourns GDT/SPD 产品线经理 David Chavarría 表示：「我们特别为应对苛刻环境而设计了全新的 AEC-Q200 兼容 GDT 系列，这一系列不仅满足了 AEC-Q200 标准的严格要求，同时也为我们在高要求市场中的进一步拓展提供了机会，说明化系统的可靠性和耐久性。作为先进保护解决方案的引领者，Bourns 始终致力于不断创新，为全球客户提供卓越质量的产品。

因此，电源电路需要兼顾小型化和高效率。在这样的电源电路中，需要具有能够支持大电流的小型高电感且直流电阻低的功率电感器。
单芯片可变反向电缆均衡器。这款突破性IC专为CATV应用开发人员设计，旨在帮助他们升级网络，以满足先进的DOCSIS 4.0标准。DOCSIS 4.0技术可通过电缆的混合光纤同轴 (HFC)网络实现下一代宽带，不仅提供对称的数千兆网速，而且支持高可靠性、高安全性和低延迟。
意法半导体推出了一个包含50W发射端和接收端的Qi无线充电配套方案，以加快医疗仪器、工业设备、家用电器和计算机外围设备等高功率应用无线充电器的研发周期。
推出新型80 V对称双通道n沟道功率MOSFET—SiZF4800LDT，将高边和低边TrenchFET Gen IV MOSFET组合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR 3x3FS单体封装中。Vishay Siliconix SiZF4800LDT适用于工业和通信应用功率转换，在提高功率密度和能效的同时，增强热性能，减少元器件数量并简化设计。
双层铝基板结构、传导冷却功率磁体和高效零电压开关（ZVS）拓扑结合在一起，确保了产品的高水平的效率和优异的热性能。因此，在对流冷却情况下功率可高达300W，传导冷却情况下可达到400W，从而实现密封环境下的运行、静音运行和高可靠性。

我们与 ST 合作开发了一款双声道网络音频适配器，采用STM32MP1系列微处理器转换网络数字信号和音频信号，以便传输和接收音频信号。稳健的处理性能、以太网连接能力和适应性强的音频输出接口是我们选择 STM32MP1系列设计产品的关键考虑因素。现在，我们对ST的MPUs，特别是 STM32MP2 系列所带来的应用机会抱有浓厚的兴趣，因为这款产品具有更高的能效，让我们能够尽可能地降低音箱的散热要求。
hrs广濑连接器　　每个固定输出电压都可以通过外部反馈分压器在初始设定点以上调整。这使 GM12071 可提供 1.2V 至 VIN VDO 的输出电压且具有高 PSRR 和低噪声。
　　GM12071 提供 6 引脚 DFN 和 8 引脚 SOP 封装。仅有DFN 封装支持通过外部电容进行用户可编程软启动。
　　GM12071可替代ADI的ADP7104、ADP7102等系列产品。
针对IP数据/安全问题，MAX32690提供一个加密工具箱 (CTB)，其中包含用于快速椭圆曲线数字签名算法 (ECDSA) 的模块化算术加速器 (MAA)、加密标准 (AES) 引擎、TRNG、SHA-256哈希和安全引导加载程序。另外还包含两个四通道SPI片内执行（SPIXF和SPIXR）接口（每个接口的容量高达512MB），用于在片外扩展内部代码和SRAM空间。
Supermicro 的超大规模存储系统以及针对边缘和电信功能优化的服务器，（例如 Hyper-E 和短深度紧凑型系统）也将上市。在不久的未来将推出搭载 Intel Xeon 6900 系列处理器（配备 P-cores）的高性能系统。