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　　在充分散热的情况下，连续漏极电流为 29A (70°C)，但在 25 x 25mm 方形 FR4 PCB 中，实际电流低于 10A。
　　4.5V 驱动器的总栅极电荷为 11nC，10V 驱动器的总栅极电荷为 23nC（40V 10A 漏极-源极）。
molex中国官网TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC MOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求，而且即使面对严格的高电压和开关频率要求，也不会降低系统可靠性。CoolSiC MOSFET具有更高的直流母线电压，可在不增加电流的情况下提高功率。
　　面向高端层级，第三代高通S5音频平台及其全新架构将有助于推动开发者创新，打造更佳音频体验。与前代平台相比，该平台带来超过3倍的计算性能提升和超过50倍的AI性能提升。这将让第三代高通S5音频平台可用于打造需要对终端使用方式和地点作出响应的终端，从而为用户在工作、居家和外出时提供无缝且快速响应的音频体验。

　　强大计算和存储能力：能够处理Wi-Fi 7的高数据速率和技术复杂性? 快速稳定的数据传输：在Wi-Fi 7环境下减少延迟，提供稳定高效的数据处理? 多样化接口和连接器：兼容各种RF设计和组件，增强系统的适应性和灵活性? 系统级集成设计：整合不同RF组件，以满足复杂的无线和蜂窝连接需求Sirius Wireless 使用S7-9P所搭建的原型验证验证环境，帮助其在芯片的基本功能验证后提前计划安排驱动环境的开发，这大大缩短了SoC 验证周期，并且加快了产品上市时间，并共同为客户提供从RF至MAC端到端的验证方案。
　　PI3WVR14412Q 符合汽车规格* – 符合 AEC-Q100 第 2 级标准，在 IATF 16949 的厂房中制造，并支持 PPAP 文件。宽广的工作环境温度范围 (-40°C 至 105°C)允许把该器件置于严酷的环境中或暴露在阳光直射下。
　　在设计线性 LED 驱动器时，耐热性是一个重要的考虑因素。因此，AL1783Q 产品采用高热效率的 TSSOP-16EP 封装，该封装具备外露散热焊盘，具有出色的散热效果。为提高系统层级的可靠性，AL1783Q 具备包括欠压锁定 (UVLO) 和过压保护 (OVP) 等多种故障检测功能，以及检测 LED 开路和短路状况的能力。
　　AVRH10C220YT201MA8压敏电阻旨在为LIN总线上的电气元器件提供支持，连续电压为16 V，电容为200 pF。1005尺寸（1.0毫米（长）x 0.5毫米（宽） x 0.5毫米（高））比现有产品小75%。更小的尺寸允许客户的设备尺寸更小，进而减少材料的使用。本产品还采用TDK自有涂层技术，提高了耐用性。尽管尺寸小巧，但其稳定性足以达到汽车质量标准。
　　与上一代产品相比，这两款芯片均内置了安霸的 CVflow 3.0 AI 引擎，且 CPU 性能提高 2 倍，通过支持 LPDDR5，DRAM 带宽也提高了 2 倍，并支持 5G 通信模块经过 USB 3.2 接入。CV75AX 和 CV72AX 芯片还集成了安霸业界领先的一代图像信号处理器（ISP）和 H.264/H.265 视频编码器，可为人眼观察和计算机视觉处理提供高质量图像，支持多路记录，助力证据收集。

推出面向汽车和工业应用场景的 TAS8240 传感器，扩大了其隧道磁阻（TMR）角度传感器产品系列。这款全新传感器提供紧凑型 QFN16（3 x 3 mm?）和 TSSOP16 (5 x 6.4 mm?)封装，可实现四个冗余模拟单端 SIN/COS 输出和低功耗。此传感器有助于的角度测量，可在受限的空间环境中实现高性能。作为 360°角度传感器，TAS8240 适用于测量安全关键型装置（如动力转向、制动助力器或牵引电机）中使用的无刷直流电机的转子位置。
molex中国官网采用 Intel Xeon 6 处理器（配备 P-cores）的系统将把人工智能工作负载的性能提高 2-3 倍*，内存带宽提高 2.8 倍*。未来使用 Intel Xeon 6 处理器（配备 E-cores）的系统预计将提供比前几代产品高 2.5 倍*的机架密度，每瓦特性能提高 2.4 倍*，从而将数据中心的 PUE 降低至低至 1.05。
　　凭借高可靠性和紧凑尺寸，这些符合RoHS要求的铝电解电容器广泛适合各种应用，比如开关电源、变频器、不间断电源 (UPS)、医疗器械和光伏逆变器等。
　　纳微GeneSiC碳化硅产品基于专有的“沟槽辅助平面栅”技术打造，可在运行温度范围内能提供了全球的效率性能，G3F MOSFETs具备高速、运行温升低的性能，相比市场上其他厂商的碳化硅产品，可使器件的外壳温度降低高达25°C并且寿命长3倍。